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业内消息称三星将在年底推出200层+NAND闪存

时间:2022-02-09 12:16:33       来源:腾讯网

图源:businesskorea

集微网消息,全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存,展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存,并在明年上半年开始批量生产。

据businesskorea报道,三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND,但考虑到市场情况,推迟到了2022年第一季度。不过美国的美光已经开始量产176层NAND,业内人士预测,三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐,以夺回被美光夺走的技术领先地位。

业内人士称,三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层,推出224层的NAND闪存。与176层相比,224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。

另外,美光和SK海力士也在加速200层以上NAND闪存的开发。

(校对/Yuki)

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