图源：businesskorea
集微网消息，全球半导体企业为了率先批量生产200层以上NAND闪存，展开了激烈的技术竞争。三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在明年上半年开始批量生产。
据businesskorea报道，三星电子原计划在2021年末开始量产176层NAND，但考虑到市场情况，推迟到了2022年第一季度。不过美国的美光已经开始量产176层NAND，业内人士预测，三星电子将加快200层以上NAND闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位。
业内人士称，三星电子将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。
另外，美光和SK海力士也在加速200层以上NAND闪存的开发。
（校对/Yuki）
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