集微网报道 近日，东微半导在接受调研时表示，公司在氮化镓领域有一定的技术积累和经验，同时也在积极关注和探索相关产品及其应用。
目前，东微半导的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET以及超级硅MOSFET、Tri-gate IGBT等产品。
其中，公司目前IGBT产品主要是以单管为主，公司着力在器件结构、工艺技术方面做深入研究。基于公司提出的TGBT的技术与性能优势，在IGBT单管领域有较强竞争力，未来在模块领域相信也会有竞争优势。
而超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基 MOSFET 产品。通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，具有栅电荷与导通电阻的乘积优值小、工艺成熟度高的特点及优势。
东微半导指出，公司产品的应用端以大功率段的工业级应用和汽车领域应用为主，此外在新能源汽车充电桩、5G基站电源及通信电源、数据服务器电源等领域都有布局。（校对/Lee）
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